태양전지 편집하기

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태양전지의 효율을 결정하는 변수는 open-circuit voltage(Voc), short-circuit current(Isc), 그리고 fill factor(FF) 등이다. open-circuit voltage(Voc)는 회로가 개방된 상태, 즉 무한대의 저항이 걸린 상태에서 빛을 받았을 때 태양전지의 양단에 형성되는 전위차이다. 동종접합(homojunction)의 경우를 예로서 설명하자면, 얻을 수 있는 최대한의 Voc값은 p형 반도체와 n형 반도체 사이의 일함수 값(work function)의 차이로 주어지며, 이 값은 반도체의 밴드갭에 의해 결정되므로 밴드갭이 큰 재료를 사용하면 대체로 높은 Voc값이 얻어진다. Short-circuit current(Isc)는 회로가 단락된 상태, 즉 외부저항이 없는 상태에서 빛을 받았을 때 나타나는 역방향(음의 값)의 전류밀도이다. 이 값은 우선적으로 입사광의 세기와 파장분포(spectral distribution)에 따라 달라지지만, 이러한 조건이 결정된 상태에서는 광흡수에 의해 여기된 전자와 정공이 재결합(recombination) 하여 손실되지 않고 얼마나 효과적으로 전지 내부에서 외부회로 쪽으로 보내어지는가에 의존된다. 이때 재결합에 의한 손실은 재료의 내부에서나 계면에서 일어날 수 있다. 또한 Isc를 크게 하기 위해선 태양전지 표면에서의 태양 빛의 반사를 최대한으로 감소시켜야 한다. 이를 위해 Antireflection coating을 해주거나 metal contact을 만들 때 태양 빛을 가리는 면적을 최소화 해주어야 한다. 가능한 모든 파장의 빛을 흡수하기 위해선 반도체의 밴드갭 에너지가 작을수록 유리하지만 그렇게 되면 Voc도 감소하게 되므로 적정한 밴드갭을 가진 재료가 필요하다. 따라서 최대크기의 Voc와 Isc값을 얻기 위해 계산된 이론적인 최적의 밴드갭 에너지는 1.4eV가 된다. Fill factor(FF)는 최대전력점에서의 전류밀도와 전압값의 곱(Vmp×Imp) 을 Voc와 Isc의 곱으로 나눈 값이다. 따라서 fill factor는 빛이 가해진 상태에서 I-V곡선의 모양이 사각형에 얼마나 가까운가를 나타내는 값이다.
 
태양전지의 효율을 결정하는 변수는 open-circuit voltage(Voc), short-circuit current(Isc), 그리고 fill factor(FF) 등이다. open-circuit voltage(Voc)는 회로가 개방된 상태, 즉 무한대의 저항이 걸린 상태에서 빛을 받았을 때 태양전지의 양단에 형성되는 전위차이다. 동종접합(homojunction)의 경우를 예로서 설명하자면, 얻을 수 있는 최대한의 Voc값은 p형 반도체와 n형 반도체 사이의 일함수 값(work function)의 차이로 주어지며, 이 값은 반도체의 밴드갭에 의해 결정되므로 밴드갭이 큰 재료를 사용하면 대체로 높은 Voc값이 얻어진다. Short-circuit current(Isc)는 회로가 단락된 상태, 즉 외부저항이 없는 상태에서 빛을 받았을 때 나타나는 역방향(음의 값)의 전류밀도이다. 이 값은 우선적으로 입사광의 세기와 파장분포(spectral distribution)에 따라 달라지지만, 이러한 조건이 결정된 상태에서는 광흡수에 의해 여기된 전자와 정공이 재결합(recombination) 하여 손실되지 않고 얼마나 효과적으로 전지 내부에서 외부회로 쪽으로 보내어지는가에 의존된다. 이때 재결합에 의한 손실은 재료의 내부에서나 계면에서 일어날 수 있다. 또한 Isc를 크게 하기 위해선 태양전지 표면에서의 태양 빛의 반사를 최대한으로 감소시켜야 한다. 이를 위해 Antireflection coating을 해주거나 metal contact을 만들 때 태양 빛을 가리는 면적을 최소화 해주어야 한다. 가능한 모든 파장의 빛을 흡수하기 위해선 반도체의 밴드갭 에너지가 작을수록 유리하지만 그렇게 되면 Voc도 감소하게 되므로 적정한 밴드갭을 가진 재료가 필요하다. 따라서 최대크기의 Voc와 Isc값을 얻기 위해 계산된 이론적인 최적의 밴드갭 에너지는 1.4eV가 된다. Fill factor(FF)는 최대전력점에서의 전류밀도와 전압값의 곱(Vmp×Imp) 을 Voc와 Isc의 곱으로 나눈 값이다. 따라서 fill factor는 빛이 가해진 상태에서 I-V곡선의 모양이 사각형에 얼마나 가까운가를 나타내는 값이다.
  
== 개념 및 종류 ==
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== 발전원리 ==
태양전지는 크게 반도체접합(p-n junction)과 광전기화학(photoelectrochemical) 태양전지로 나눌 수 있다.
 
 
 
=== 반도체접합 태양전지 ===
 
반도체접합 태양전지는 n-형 반도체와 p-형 반도체를 접합하여 제조된 것이다. n-형 반도체는 전자 전달체 역할을, p-형 반도체는 홀 전달체 역할을 한다. (그림 1)은 n-형과 p-형 물질간의 접합에 따른, 밴드로 본 태양전지 작동 원리와 태양전지의 구조를 나타내고 있다.
 
 
 
그림에서 보듯이 태양전지를 구성하는 반도체의 밴드갭(전도띠와 가전자띠 간의 갭) 보다 큰 에너지를 갖는 광자를 태양전지가 흡수하게 되면 전자(electron)-홀(hole) 쌍이 형성되고, 전자는 n-형 반도체로 유입되며 홀은 p-형 반도체로 전이되어 전류를 발생하게 된다. 반도체 접합 태양전지는 대개 밴드갭이 1.1~1.7eV인 물질들을 사용하는데, 현재까지 상품화 되었거나 연구되고 있는 물질로는 Si(실리콘), GaAs(갈륨비소), CuInSe2(CIS), CdS/CdTe 등이며 이론적인 에너지 변환 효율은 GaAs가 가장 좋은 것으로 알려져 있다. 그러나 이들 물질은 원료 가격이 비싼 것이 단점이다.
 
 
 
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|파일:반도체접합 태양전지 원리.png|그림1 : 반도체접합 태양전지 작동 원리
 
|파일:반도체접합 태양전지 구조.png|그림2 : 반도체접합 태양전지 구조
 
}}
 
=== 광전기화학적 태양전지 ===
 
반도체접합 태양전지와는 달리 광합성 원리를 이용한 광전기화학적 태양전지가 있다. 최근(1991년) 스위스 Gartzel 그룹에서 발표한 염료감응 나노입자 산화물 광전기화학 태양전지(dye-sensitized nanocrystalline solar cell)는 비정질 실리콘 태양전지에 버금가는 높은 에너지 변환 효율과 함께 매우 저렴한 제조단가로 인하여 연구계 및 산업계의 비상한 관심을 모으고 있다. (그림 3)은 염료감응 나노입자 산화물 태양전지의 작동 원리를 보여주고 있다.
 
 
 
표면에 염료 분자가 화학적으로 흡착된 n-형 나노입자 반도체 산화물 전극에 태양 빛(가시광선)이 흡수되면 염료분자는 전자-홀 쌍을 생성하며, 전자는 반도체 산화물의 전도띠로 주입된다. 반도체 산화물 전극으로 주입된 전자는 나노입자간 계면을 통하여 투명 전도성막으로 전달되어 전류를 발생시키게 된다. 염료 분자에 생성된 홀은 산화-환원 전해질에 의해 전자를 받아 다시 환원되어 염료감응 태양전지 작동 과정이 완성된다. (그림 4)는 염료감응 나노입자 산화물을 기초로 한 광전기화학 태양전지의 구조이다.
 
 
 
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|파일:염료감응 나노입자 산화물 광전기화학 태양전지 작동원리.png|그림3 : 염료감응 나노입자 산화물 광전기화학 태양전지 작동원리
 
|파일:염료감응 나노입자 산화물 광전기화학 태양전지 구조.png|그림4 : 염료감응 나노입자 산화물 광전기화학 태양전지 구조
 
}}
 
  
 
== 재료에 따른 종류 ==
 
== 재료에 따른 종류 ==

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