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* 1974년 11월 : 삼성산요파츠㈜에서 삼성전기파츠로 상호 변경
 
* 1974년 11월 : 삼성산요파츠㈜에서 삼성전기파츠로 상호 변경
 
* 1973년 8월 : 삼성산요파츠㈜ 설립 등기
 
* 1973년 8월 : 삼성산요파츠㈜ 설립 등기
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===컴포넌트===
 
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*'''적층세라믹콘덴서'''
 
*'''적층세라믹콘덴서'''

2020년 7월 27일 (월) 10:19 판

삼성전기㈜(Samsung Electro-Mechanics)는 대한민국의 기업으로 삼성그룹의 전자 계열사로서, 전자부품 제조 전문 회사다. 적층세라믹콘덴서(MLCC) 등 칩부품, 인쇄회로기판, 카메라모듈, 네트워크 모듈 등을 생산하며 반도체용 기판은 2005년부터 세계 1위를 기록하고 있다. 2010년대는 베트남에 생산 거점을 신설하고 필리핀, 천진에 새 공장을 완공하는 등 글로벌 기업으로의 본격적인 행보에 나서고 있다.[1]

개요

1973년 '삼성산요파츠'로 설립되어, 이듬해 상호를 '삼성전기파츠'로 변경하고, 1977년에 '삼성전자부품으로, 1987년 '삼성전기'로 상호를 변경했다. 본사는 수원, 세종, 부산에 생산 공장이 있다. 해외에는 중국, 태국, 필리핀, 베트남 등에 생산법인이 있다. 2019년 매출액은 8조 408억 원이고, 영업이익은 7,340억 원의 실적을 기록했다.

연혁

  • 2020년 1월 : 삼성명장과 마에스트로(Maestro) 선발
  • 2019년 4월 : 세계 최소형 5G 안테나 모듈 개발
  • 2014년 1월 : 세계 최초 자기공진방식 무선충전 인증
  • 2013년 9월 : 베트남 생산법인 설립
  • 2009년 10월 : 세계 최초 12M 3배줌 아이에스엠(ISM) 개발
  • 2009년 4월 : 세계 최초 0603, 1마이크로패럿 적층세라믹콘덴서(0603, 1uF MLCC) 개발
  • 2007년 11월 : 세계 최초 휴대폰용 800만 화소 시모스(CMOS) 카메라모듈 개발
  • 2006년 6월 : 부품 업계 최초 지속가능성 보고서 발간
  • 2006년 11월 : 세계 최초, 1608크기의 22마이크로패럿(uF) 급 적층세라믹콘덴서 개발
  • 2003년 9월 : 세계 최초 초소형 0402 적층세라믹콘덴서 개발
  • 2001년 10월 : 세계 최소형 0603 적층세라믹콘덴서 개발 및 양산
  • 1997년 7월 : 필리핀 생산법인 설립
  • 1992년 7월 : 중국 동관 생산법인 설립
  • 1990년 11월 : 태국 생산법인 설립
  • 1987년 2월 : 삼성전기주식회사로 상호 변경
  • 1977년 5월 : 삼성전기파츠㈜에서 삼성전자부품㈜로 상호 변경
  • 1974년 11월 : 삼성산요파츠㈜에서 삼성전기파츠로 상호 변경
  • 1973년 8월 : 삼성산요파츠㈜ 설립 등기

제품

컴포넌트

  • 적층세라믹콘덴서
적층세라믹콘덴서는 전기를 보관했다가 일정량씩 내보내는 '댐'의 역할을 한다. 회로에 전류가 일정하게 흐르도록 조절하고 부품 간 전자파 간섭현상을 막아준다. 쌀 한 톨 크기의 250분의 1, 0.3밀리미터(mm)의 얇은 두께의 내부에 최대한 얇게 많은 층을 쌓아야 많은 전기를 축적할 수 있기 때문에 기술력이 중요한 분야다. 5G 시대를 맞이해 전자기기, 자율주행차의 발전, 사물인터넷(IoT)의 확대에 따라 적층세라믹콘덴서의 중요성이 더욱 커질 전망인데, 삼성전기㈜는 600층까지 적층한 고용량 적층세라믹콘덴서를 생산할 수 있는 높은 기술력을 보유하고 있다. 삼성전기㈜는 시장 트렌드에 발맞춰 초소형, 초고용량 제품을 개발하고 있으며, 고신뢰성, 고품질의 하이테크놀로지(High-Technology) 집약체 적층세라믹콘덴서의 개발을 하고 있다.
  • 파워 인덕터(Power Inductor)
전원 공급 장치 및 회로에 적용되는 인덕터로, 금속복합체(Metal composite) 또는 페라이트(Ferrite) 재료로 생산한다. 주로 특정 전압을 필요한 전압으로 변환하기 위한 회로에 사용되며, 정보통신(IC)에 안정적인 전력을 공급하는 역할을 한다. 해당 인덕터는 전원회로에 사용되므로 전류 인가 시 인덕턴스를 유지하고, 저저항의 특성을 갖도록 제작된다.
  • 고주파 인덕터(High Frequency Inductor)
고주파 인덕터는 유리(Glass) 재료를 사용한 세라믹과 은(Ag)을 사용한 내/외부 전극으로 구성되며 니켈(Ni)과 주석(Sn)으로 도금되어있다. 특징으로는 고주파에서의 높은 큐(Q)를 갖고 있는 점과 높은 주파수대역자기공진주파수(SRF), 낮은 비저항으로 인해 100메가헤르츠(MHz) 이상의 고주파에서 사용이 유용한 점이 있다. 이는 고주파 인덕터가 무선주파수(RF)시스템에서 임피던스(Impedance) 매칭 회로로 주로 사용되는 이유이다.
칩 저항기는 직류전류나 교류전류를 제한하는 성질을 가지고 있다. 이 성질을 이용하여 전자회로 내부에서 전압을 낮추거나, 전류를 일정하게 하는 역할을 한다. 저항은 기본적으로 옴(Ohm)의 법칙을 따르며, 전기 전도도가 높은 물질과 전도도가 낮은 물질을 함께 사용해서 요구되는 저항값을 구현한다. 칩(Chip)형 저항의 주요 저항체 재료는 이산화 규소(SiO₂), 이산화 루테늄(RuO₂), 백동(CuNi) 등을 사용해서 고저항과 저저항, 초저저항, 내황품,배열(Array) 저항 제품을 제조한다.
  • 표준 저항기(Standard Resistor)
전자회로 내에서 전류의 흐름을 방해하는 성질을 이용해서 전류를 조절하고, 전압을 강하시키는 기능을 한다. 세라믹 바디에 저항, 전극, 보호용 재료를 인쇄하여 회로에서 요구되는 정밀 저항을 표면 실장 소자(SMD) 가능한 칩 형태로 구현한 제품이다.
  • 배열 저항기(Array Resistor)
단품 저항 4개 또는 2개를 하나로 대체할 수 있는 제품으로, 단품을 여러 개 사용할 때에 비해서 실장 면적을 감소시킬 수 있다. 실장 횟수를 감소시켜 실장 시간과 비용을 줄일 수 있고, 표면 실장 기술(SMT) 생산성 향상 효과가 크기 때문에 그 사용범위가 점점 넓어지고 있다. 배열 저항기는 세계 메이저 반도체 업체들에서 사용되고 있으며 그 품질과 성능을 인정받고 있다.
  • 황유항 저항기(Anti Sulfur Resistor)
칩 저항기 전극 재료는 주로 은을 사용하는데, 은은 황(S)에 잘 부식되어 점차 황화은(Ag₂S)으로 변하게 된다. 황화은은 비도체로 저항의 양 단자간에 전류가 흐를 수 없게 해서, 열악한 환경에서 사용되는 전자기기는 내황성능을 가진 저항의 사용이 필수적이다. 삼성전기㈜는 고유의 재료, 설계 기술로 황부식에 강한 재료를 자체 개발하여, 내황특성을 갖는 칩 저항기를 공급하고 있다.
  • 전류 감지 저항기(Current Sensing Resistor)
전류검출에 사용하는 후막(Thick Film) 공법의 초저저항 제품으로, 저항 오차감소를 위해 저항체가 하면에 위치하는 인버티드 실장 구조(Inverted Field Structure)이다. 높은 정격전력과 낮은 온도특성 변화를 갖는 제품이다.
탄탈럼은 전하를 충/방전하고 노이즈를 제거하는 일반적인 타입의 축전지(Capacitor)로서 전자기기에 광범위하게 사용되고 있다. 특징으로는 유해물질 제한(RoHS) 규제 물질을 사용하지 않아 친환경적이며, 전압과 온도변화에 높은 안정성을 가지고 있다. 또한 칩 형태로 설계되어 있어 표면 실장 기기에 적용이 가능하다.

모듈

  • 카메라 모듈(Camera Module)
스마트폰과 같은 모바일 기기 및 자동차, 스마트가전 등에서 사진과 영상을 촬영하는 제품이다. 모든 응용 분야에서 고화질과 소형, 슬림화 및 저전력화, 고강성이 요구되어 높은 수준의 기술을 필요로 한다. 삼성전기㈜는 광학, 전자/전기 기구 설계 기술을 바탕으로 카메라 모듈에 필요한 핵심 기술을 보유하고 있다.
  • 커뮤니케이션 모듈(Communication Module)
유선 (LAN) 형태인 이더넷(Ethernet)의 단점을 보완하기 위해 고안된 IEEE802.11기술 기반으로 각 통신 규격에 준하는 근거리 데이터 전송용 무선 송, 수신 시스템을 구현한 제품이다. 각 전송방식 및 사용 주파수 대역에 따라 와이파이 모듈(WiFi Module) 및 와이기그 모듈(WiGig Module)로 나뉘게 되고 와이어레스 랜(Wireless LAN) 지원이 필요한 애플리케이션에 따라 다양한 제품을 제공하고 있다.

인쇄회로기판

  • 고밀도 회로 기판(Package Substrate)
모바일과 피시의 핵심 반도체에 사용되는 패키지(Package) 기판으로, 반도체와 메인보드 간 전기적 신호 전달 역할 및 고가의 반도체를 외부 스트레스(Stress)로부터 보호해주는 역할을 한다. 일반 기판 보다 훨씬 더 미세한 회로가 형성되어 있는 고민도 회로 기판으로, 고가의 반도체를 직접 메인 기판에 부착하게 될 때 발생 발생하는 조립 불량과 비용을 줄일 수 있다.
반도체에 와이어 본딩(Wire Bonding)을 통한 접합이 아닌 범프(Bump)를 통해 뒤집어진 채로 기판과 연결되기 때문에 '에프시시에스피'라고 한다. 주로 모바일 정보기술(IT) 기기의 에이피(Application Processor) 반도체에 사용된다. 또한 골드 와이어(Gold Wire)를 사용하는 더블유비씨에스피(WBCSP, Wire Bonding Chip Scale Package)와 비교해 전기적 신호의 이동 경로가 짧고 많은 수의 인풋(Input)/아웃풋(Output)를 형성할 수 있어 고밀도 반도체에 대응 가능하다.
  • 기판 종류
- 이피에스(EPS, Embedded Passive Substrate) & 이디에스(EDS,Embedded Die Substrate)
이피에스/이디에서는 반도체 수동소자, 정보통신(IC) 등을 기판 내부에 내장하여 양산이 가능한 기판이다. 디씨(Decoupling Capacitor)는 보통 전원 공급 전압 레벨(Power Supply Voltage Level)을 안정화하는데 사용한다. 정보통신을 기판 내부에 내장하면 패키지 크기 감소 및 두께를 줄일 수 있다.
- 이티에스(ETS, Embedded Trace Substrate)
이티에스는 회로 패턴이 절연재 안에 묻혀있는 형태의 회로 기판이다. 기판은 코어레스(Coreless) 구조로 코스트(Cost) 증가 없이 미세회로 구현이 가능하여 레이어(Layer) 다운 설계에 용이하다. 또한 에칭 공정(Etching)이 패턴 폭에 영향을 주지 않으므로, 회로 폭을 정밀하게 제어할 수 있다.
  • 더블유비씨에스피
골드 와이어로 반도체 칩과 패키지 기판을 연결하고, 반도체 칩 크기가 기판 면적의 80% 넘는 제품을 일반적으로 '더블유비씨에스피'라고 한다. 칩과 피씨비(PCB) 간 연결에 골드 와이어를 이용하며, 멀티(Multi) 패키징이 가능하여 메모리 칩에 주로 사용한다. 특히, 유티씨에스피(UTCSP, Ultra Thin CSP) 제품은 0.13밀리미터 이하의 두께로 제품을 제작할 수 있고 칩과 피씨비 연길 자유롭기 때문에 멀티 칩 패키징(Multi Chip Packaging) 가능하며 동일 두께의 패키지 대비 고성능을 구현할 수 있다.
패키지 안에 여러개의 정보통신과 패시브 컴포넌트(Passive Component)가 실장 되어 복합적인 기능을 하나의 시스템으로 구현하는 제품이다. 또한 피에이(Power Amplifier)와 같은 제품에 사용되어, 방열 특성을 가지고 있다. 제품 시리즈로는 플립칩(Flip-Chip) 에스아이피와 코어레스가 있다.
고집적 반도체 칩을 메인보드와 연결하기 위한 고집적 패키지 기판이다. 반도체 칩과 패키지 기판을 플립 칩 범프(Flip Chip Bump)로 연결하며, 전기 및 열적 특성을 향상시킨 고집적 패키지 기판이다. 또한 중앙처리장치(CPU) 기판 회로의 고집적화로, 기판 층수 증가 및 층간 미세 정합을 요구하며, 동시에 세트 슬림화를 위한 박형 기판 제조 능력이 요구된다.
리지드(Rigid)부(휘지 않는 부분)와 플렉스(Flex)부(휘어지는 부분)로 구성된 기판으로서, 플레스부의 굴곡에 의해 3차원 회로 연결이 가능하다. 또한 연속 굴곡 150,000회에 달하는 굴곡성을 가지고 있으며, 모듈 간 접속을 위한 커넥터(Connector)가 필요 없기 때문에 소형화, 경령화에 유리하다. 그리고 높은 디자인 자유도로 공간 활용도를 극대화할 수 있으며 고밀도, 박형화, 다양한 층 등으로 구조 설계도 가능하다.

주요 인물

특징

각주

참고자료

같이 보기


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